半導(dǎo)體芯片的冷熱沖擊試驗(yàn)
更新時(shí)間：2023-01-17 點(diǎn)擊量：1090
芯片主要組成物質(zhì)是硅，內(nèi)部結(jié)構(gòu)有4大部分：傳感器，分立器件，集成電路，光電器件。集成電路屬于半導(dǎo)體芯片中很重要的一部分，它把數(shù)量龐大的晶體管集中到一個(gè)小的金屬片上。芯片做得越小，內(nèi)部的晶體管數(shù)量越多，耗能，電容效應(yīng)，開關(guān)頻率越小，性能更好。溫度的改變對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力、極限電壓、極限電流以及開關(guān)特性等都有很大的影響。半導(dǎo)體芯片上的元器件分布很密，元器件之間空間非常小，當(dāng)溫度過高時(shí)，元器件體積發(fā)生膨脹、擠壓，半導(dǎo)體芯片可能因?yàn)閿D壓產(chǎn)生裂紋報(bào)廢。若溫度太高，集成電路在工作的時(shí)候過熱激發(fā)高能載流子會(huì)增大晶體管被擊穿短路的概率；晶體管性能隨溫度會(huì)發(fā)生變化，高溫會(huì)使部分電路因?yàn)樾阅茏兓療o法正常工作；高溫提高電遷移導(dǎo)致導(dǎo)線工作壽命下降。如果溫度過低，往往會(huì)造成芯片在額定工作電壓下無法打開其內(nèi)部的半導(dǎo)體開關(guān)，導(dǎo)致其不能正常工作。所以，芯片在生產(chǎn)過程中，需要對(duì)其進(jìn)行冷熱沖擊試驗(yàn)。一般情況下，民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃，軍*芯片性能更高，正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍，當(dāng)芯片不工作時(shí)，可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。
